[发明专利]制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置有效
| 申请号： | 201610329591.6 | 申请日： | 2016-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN106558483B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 李知虎;卢健培;尹熙灿;裵镇希;任浣熙 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/31;H01L23/28;H01L29/51 |
| 代理公司： | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李艳;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道龙仁*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置。制造二氧化硅层的方法包含将包含碳化合物的预润湿液体物质涂布于衬底上、将用于形成二氧化硅层的组合物涂布于涂布有预润湿液体物质的衬底上以及使涂布有用于形成二氧化硅层的组合物的衬底固化。根据本发明的方法，可以使得用于形成二氧化硅层的组合物充分润湿衬底，并且可以有效涂布少量组合物，形成均匀的二氧化硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 二氧化硅 方法 以及 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种制造二氧化硅层的方法，其特征在于，包括/n将包含碳化合物的预润湿液体物质涂布于衬底上，/n将用于形成二氧化硅层的组合物涂布于涂布有所述预润湿液体物质的所述衬底上，以及/n使涂布有所述用于形成二氧化硅层的组合物的所述衬底固化，/n其中所述用于形成二氧化硅层的组合物包括含硅聚合物和溶剂，/n其中所述含硅聚合物包括聚硅氮烷，/n其中所述碳化合物在结构中包括经取代或未经取代的苯环并且所述碳化合物的总碳数为9到14。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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