[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201610318186.4 | 申请日： | 2016-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN107369621B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底表面具有鳍部，鳍部包括边缘区域和中心区域；形成横跨中心区域鳍部的伪栅极结构及横跨边缘区域鳍部的阻挡结构，所述伪栅极结构包括位于鳍部顶部和侧壁上的伪栅电极层；在伪栅极结构和阻挡结构之间的鳍部中形成源漏区；然后在半导体衬底和鳍部上形成覆盖伪栅极结构侧壁和阻挡结构的侧壁的第一层间介质层；之后去除伪栅电极层，形成开口；在开口中形成金属栅电极层。所述方法在形成源漏区前形成阻挡结构，去除伪栅电极层时保留阻挡结构，提高了鳍式场效应晶体管的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有鳍部，所述鳍部包括边缘区域和中心区域；形成横跨中心区域鳍部的伪栅极结构以及横跨边缘区域鳍部的阻挡结构，所述伪栅极结构包括位于鳍部顶部和侧壁上的伪栅电极层；在伪栅极结构和阻挡结构之间的鳍部中形成源漏区；形成源漏区后，在半导体衬底和鳍部上形成第一层间介质层，所述第一层间介质层覆盖伪栅极结构侧壁和阻挡结构侧壁；形成第一层间介质层后，去除伪栅电极层，形成开口；在所述开口中形成金属栅电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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