[发明专利]一种优化结构和制程的低电容低压TVS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种优化结构和制程的低电容低压TVS器件；该TVS器件只含有一个钳位二极管，但通过结构优化，实现了双向钳位，并增大了钳位二极管的有效面积；同时，在每个方向的电流导通通道上，串联二个低电容的整流二极管，实现了电容更低的特性；本发明的双向TVS器件，较传统的双向TVS器件，具有更高的抗静电能力、更低的电容。另外，本发明提出了该TVS器件的优化制程的制造方法，该制造制程短，同时本发明的TVS器件的制程与传统的IC加工制程兼容性好，更容易实现。

主权项

一种优化结构和制程的低电容低压TVS器件（0），其特征在于结构包括：在低掺杂的P‑单晶硅片上，具有分别独立的低掺杂浓度的N阱区（1）和低掺杂浓度的P阱区（2），在N阱区中有两个独立的高浓度的P++区（3），P++区与N阱形成整流管，在P阱区中有两个独立的高浓度的N++区（4），N++区与P阱也形成整流管；在N阱区的边缘有一个高浓度的N+区（5），N+区与N阱区交叠，与N阱内的P++区不相接；在P阱区的边缘有一个高浓度的P+区（6），P+区与P阱区交叠，与P阱内的N++区不相接；P+区与N+区相接，形成钳位管，表面采用氧化层（7）钝化，在每个N++区、P++区中间区域为引线孔无氧化层，最上层为二个金属电极区（8），每个金属电极区各分别将一个N++区和一个P++区连接在一起，两个电极之间不导通。