[发明专利]形成FINFET半导体装置的鳍片的方法及其半导体装置

摘要

本发明涉及形成FINFET半导体装置的鳍片的方法及其半导体装置。具体涉及一种方法，包括在衬底上面形成多个鳍片，在多个鳍片上面及之间形成至少一个介电材料，以及在介电材料上面形成掩膜层。掩膜层中界定有开口。进行至少一个蚀刻程序以移除至少一个介电材料中被开口所曝露的一部分，以便曝露多个鳍片中至少一个鳍片的顶端表面部分及侧壁表面部分。至少一个介电材料留在衬底上面与至少一个鳍片相邻。进行蚀刻程序以移除至少一个鳍片。

主权项

一种制造集成电路的方法，该方法包含：在衬底上面形成多个鳍片；在该多个鳍片上面及该多个鳍片之间形成至少一个介电材料，该介电材料包含布置于该多个鳍片的顶端表面部分上的覆盖层；在该介电材料上面形成掩膜层，该掩膜层中界定有开口；进行至少一个蚀刻程序以移除该至少一个介电材料中被该开口所曝露的一部分，以便移除该介电材料及该覆盖层中被该开口所曝露的部分以曝露该多个鳍片中至少一个鳍片的该顶端表面部分及侧壁表面部分，其中被该开口所曝露的该至少一个介电材料留在该衬底上面与该至少一个鳍片相邻；以及进行蚀刻程序以移除该至少一个鳍片。