[发明专利]集成电路衬底及其制造方法有效
| 申请号： | 201610270614.0 | 申请日： | 2016-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN106098577B | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | M·勒斯纳;M·恩格尔哈特;G·斯特兰茨尔;M·扎加 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;董典红 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及集成电路衬底及其制造方法。说明书公开了一种用于制造集成电路芯片的方法。该方法包括提供具有多个集成电路的晶片，每个集成电路设置在独立的有源区域中，并且对于每个有源区域，在有源区域外设置与集成电路相关联的代码图案。还公开了计算机可读介质。此外，还公开了制造装置，其被配置为接收晶片并从晶片中去除材料来为晶片提供形成为用于将晶片分离为裸片的沟槽的划线。说明书还公开了晶片、源于原始晶片并承载集成电路的集成电路芯片裸片衬底以及集成电路芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体芯片的方法，所述方法包括：提供具有多个有源区域的晶片，每个有源区域被设置在独立的裸片区域中；以及对于每个有源区域，在所述有源区域外设置代码图案，所述代码图案与所述裸片区域相关联并且包括布置在所述裸片区域的侧壁上的凹坑的序列，其中每个凹坑沿与所述裸片区域的顶部主表面实质上平行的纵向方向延伸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610270614.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
