[发明专利]一种在钼基片上沉积的钌薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201610258271.6 | 申请日： | 2016-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN107304471A | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 许俊华;陈敏;郭丽萍 | 申请（专利权）人： | 江苏科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/58;C23C14/16 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 212003 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种在钼基片上沉积的钌薄膜及其制备方法，采用磁控溅射法在Mo衬底上制备了Ru薄膜，利用真空退火炉、EDS、XRD，台阶仪及纳米划痕仪等设备研究了不同退火温度对Ru薄膜化学成分、相结构、残余应力及膜基结合力的影响。结果表明，不同退火温度处理下的Ru薄膜呈六方Ru结构，具有择优取向。当退火温度小于300℃时，退火有利于改善薄膜结晶质量，起到释放残余应力及提升膜基结合力的作用；随退火温度的进一步升高，残余应力进一步释放，此外，Ru薄膜中检测到了氧，薄膜中氧化相的出现导致膜基结合力降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钼基片上 沉积 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沉积在钼基片上的钌薄膜，在不同的温度下对所述薄膜进行退火处理，其特征在于：所述薄膜的残余应力随着退火温度的升高而降低，残余应力最低为0.3GPa，所述薄膜的膜基结合力随着退火温度的升高而先升高后降低，膜基结合力最高为17.6N。
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