[发明专利]NAND存储器结构、形成方法和三维存储器阵列

摘要

本发明公开了一种NAND存储器结构的形成方法，该形成方法包括以下步骤：提供半导体衬底，在衬底之中形成的多组源极选择晶体管；在源极选择晶体管之上形成纵向叠层结构的存储单元，纵向叠层结构的存储单元包括垂直沟道、多层存储栅介质、形成在垂直沟道之外的位线选择管栅极和叠层字线，其中，源极选择晶体管的漏极与垂直沟道底部的多层存储栅介质接触；在纵向叠层结构的存储单元之上形成位线；通过位线和叠层字线向源极选择晶体管的漏极与垂直沟道之间的多层存储栅介质施加击穿电压。该NAND存储器的形成方法，可以降低工艺难度，降低成本，提高集成密度。本发明还公开一种NAND存储器结构及其形成方法和三维存储器阵列。

主权项

1.一种NAND存储器结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述衬底之中形成的多组源极选择晶体管，所述源极选择晶体管包括在所述衬底之上的沿X方向的源极选择栅极，在所述衬底内第一掺杂形成的沿X方向的源极，和在所述衬底内第一掺杂形成的漏极；在所述源极选择晶体管之上形成纵向叠层结构的存储单元，其中，所述纵向叠层结构的存储单元包括沿Z方向的垂直沟道、多层存储栅介质、形成在垂直沟道之外的沿X方向水平布置的位线选择管栅极和叠层字线，其中，所述源极选择晶体管的漏极与所述垂直沟道底部的多层存储栅介质接触；在所述纵向叠层结构的存储单元之上形成沿Y方向布置的多组位线；通过所述位线和所述源极选择晶体管的漏极向所述源极选择晶体管的漏极与所述垂直沟道之间的所述多层存储栅介质施加击穿电压，以使所述源极选择晶体管的漏极与所述垂直沟道之间形成电性连接接触部。