[发明专利]形成钴或镍互连结构的方法在审
| 申请号： | 201610237028.6 | 申请日： | 2016-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN106057730A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 罗伊·沙维夫;约翰·W·拉姆;蒂莫西·博赫曼;珍妮弗·濛初·曾 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于在工件上的特征中沉积金属的方法，所述方法包括：在工件上的特征中形成种晶层，其中种晶层包括选自由钴和镍组成的群组的金属；在种晶层上电化学沉积第一金属化层，其中电化学沉积金属化层包括使用具有电镀金属离子和处于6至13范围内的pH值的电镀电解液；和在沉积第一金属化层之后热处理工件。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 互连 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种用于在工件上的特征中沉积金属的方法，所述方法包含：(a)在工件上的特征中形成种晶层，其中所述种晶层包括选自由钴和镍组成的群组的金属；(b)在所述种晶层上电化学沉积第一金属化层，其中电化学沉积所述金属化层包括使用具有电镀金属离子和处于6至13范围内的pH值的电镀电解液；和(c)在沉积所述第一金属化层之后热处理所述工件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610237028.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型手机检测治具
- 下一篇：一种基于多摄像头图像识别的纸杯质量检测装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
