[发明专利]P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法有效
| 申请号： | 201610236465.6 | 申请日： | 2016-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN105845734B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 陈静;吕凯;罗杰馨;柴展;何伟伟;黄建强;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 姚艳 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，该P型动态阈值晶体管至少包括：衬底结构，位于所述衬底结构上的n个阈值可调结构；所述阈值可调结构至少包含两个PMOS管和两个二极管，两个PMOS管共用体区，所述体区为P型重掺杂区；两个二极管共用P区，并以两个PMOS管共用的体区作为P区；所述第一二极管的P区与所述第一PMOS管的栅连接，所述第二二极管的P区与所述第二PMOS管的栅连接。本发明通过在两个PMOS管的栅体连接通路上各形成一个反偏PN结，来提升体区电压、降低阈值电压、提高驱动电流，实现工作电压的提高，扩展了P型动态阈值晶体管在低功耗电路设计领域的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 阈值 晶体管 制备 方法 提高 工作 电压 | ||
【主权项】：
1.一种P型动态阈值晶体管，其特征在于，所述P型动态阈值晶体管至少包括：衬底结构，位于所述衬底结构上的n个阈值可调结构，其中，n为大于等于1的自然数；所述阈值可调结构至少包含两个PMOS管和两个二极管，其中，第一PMOS管和第二PMOS管的沟道区均为N型轻掺杂区，且两个PMOS管共用体区，所述体区为P型重掺杂区；第一二极管以所述第一PMOS管的沟道区作为N区，第二二极管以所述第二PMOS管的沟道区作为N区，且两个二极管共用P区，并以两个PMOS管共用的体区作为P区；所述第一二极管的N区与所述第一PMOS管的体区连接，所述第一二极管的P区与所述第一PMOS管的栅连接，所述第二二极管的N区与所述第二PMOS管的体区连接，所述第二二极管的P区与所述第二PMOS管的栅连接；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的栅均包括P型重掺杂区及隔离区，所述隔离区靠近所述体区，其中所述隔离区为未掺杂的多晶硅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610236465.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：学生用磁场力测量实验课桌
- 下一篇：一种半导体器件及其制造方法和电子装置
- 同类专利
- 专利分类
