[发明专利]一种通过改变SAB膜质降低CIS器件噪声的方法

摘要

本发明公开了一种通过改变SAB膜质降低CIS器件噪声的方法，通过采用HARP工艺制备具有疏松膜质的SAB层，改变了以往由PECVD工艺制备的SAB层致密膜质，可大大减少Si‑SiO₂界面附近陷阱，同时降低声子的散射，并可利用HARP工艺制备的SAB层较厚的厚度，在后续带有等离子体的工艺中减少等离子体损伤对栅氧化层的影响，从而可有效降低CIS产品的各类噪声。

主权项

1.一种通过改变SAB膜质降低CIS器件噪声的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：提供一衬底，所述衬底至少具有栅极和源、漏结构；步骤二：在所述衬底表面形成具有疏松膜质的SAB层；其中，采用HARP工艺在所述衬底表面沉积具有疏松膜质的SAB层；步骤三：退火。