[发明专利]集成电子三极管在审
| 申请号： | 201610214728.3 | 申请日： | 2016-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN105870175A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 钱伟国 | 申请（专利权）人： | 太仓凯丰电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L51/05 |
| 代理公司： | 北京瑞思知识产权代理事务所(普通合伙) 11341 | 代理人： | 张建生 |
| 地址： | 215400 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种集成电子三极管，所述的集成电子三极管包括最外层半导体材料层，中间层合金材料层和最内层的硅材料层，所述半导体材料层为无机化合物半导体、有机化合物半导体或非晶态与液态半导体，所述的半导体材料层占集成电子三极管总体分量的42‑48%，所述的合金材料层占集成电子三极管总体分量的25%‑30%，所述的硅材料层占集成电子三极管总体分量的25%‑30%，本发明提供一种集成电子三极管，具有工作效率高、使用寿命长、节约资源的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 电子 三极管 | ||
【主权项】：
一种集成电子三极管，其特征在于：所述的集成电子三极管包括最外层半导体材料层，中间层合金材料层和最内层的硅材料层，所述半导体材料层为无机化合物半导体、有机化合物半导体或非晶态与液态半导体，所述的半导体材料层占集成电子三极管总体分量的42‑48%，所述的合金材料层占集成电子三极管总体分量的25%‑30%，所述的硅材料层占集成电子三极管总体分量的25%‑30%。
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