[发明专利]一种有机摩擦场效应晶体管、晶体管阵列及其制备方法有效
| 申请号： | 201610182471.8 | 申请日： | 2016-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN105845825B | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 董桂芳;刘晓惠;李晶 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/30;H01L51/40;H01L51/46;H01L27/28;H02N1/04 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李敏 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明所述的一种有机摩擦场效应晶体管，包括第一基板，依次层叠设置在第一基板上的源漏电极层和有机半导体层；还包括直接设置在所述有机半导体层上的第一绝缘层，以及设置在所述第一绝缘层上方的第一摩擦层，所述第一绝缘层与所述第一摩擦层能够形成垂直间距变化运动；所述第一摩擦层上还直接设置有第一电极层，所述第一电极层与所述源漏电极层中的源电极电连接。利用摩擦发电机取代传统晶体管中的栅极，通过第一摩擦层与第一绝缘层的接触分离形成静电势作为栅极信号，调控有机半导体层中载流子传输特性，从而实现有机场效应晶体管的功能，有效简化有机场效应晶体管的集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 摩擦 场效应 晶体管 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有机摩擦场效应晶体管，包括第一基板，依次层叠设置在第一基板上的源漏电极层和有机半导体层；其特征在于，还包括直接设置在所述有机半导体层上的第一绝缘层，以及设置在所述第一绝缘层上方的第一摩擦层，所述第一绝缘层与所述第一摩擦层能够形成垂直间距变化运动；所述第一摩擦层上还直接设置有第一电极层，所述第一电极层与所述源漏电极层中的源电极电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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