[发明专利]半导体发光元件在审

专利信息
申请号: 201610140819.7 申请日: 2016-03-11
公开(公告)号: CN105990487A 公开(公告)日: 2016-10-05
发明(设计)人: 宫部主之;石黑阳;胜野弘;山田真嗣 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38;H01L33/20
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 张世俊
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的实施方式提供一种生产性高的半导体发光元件。根据实施方式,提供一种半导体发光元件,包含衬底、第1~第3半导体层、第1、第2电极、金属层。衬底具有第1区域及具备从第1区域突出的凸部的第2区域。第1半导体层为第1导电型。第1半导体层与衬底在第1方向相隔。第2半导体层为第2导电型。第2半导体层设置在第1半导体层与衬底之间。第3半导体层设置在第1半导体层与第2半导体层之间。第1电极设置在第1半导体层与衬底之间且与第1半导体层电连接。第2电极设置在第2半导体层与衬底之间且与第2半导体层电连接。金属层设置在第1电极与第2区域之间以及第2电极与第1区域之间。金属层具有与衬底的凸部嵌合的凹部。
搜索关键词: 半导体 发光 元件
【主权项】:
一种半导体发光元件,其特征在于具备:衬底,具备第1区域及第2区域,所述第2区域具备从所述第1区域突出的凸部;第1导电型的第1半导体层,与所述衬底在第1方向相隔地设置;第2导电型的第2半导体层,设置在所述第1半导体层与所述衬底之间;第3半导体层,设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间;第1电极,设置在所述第1半导体层与所述衬底之间且与所述第1半导体层电连接;第2电极,设置在所述第2半导体层与所述衬底之间且与所述第2半导体层电连接;以及金属层,设置在所述第1电极与所述第2区域之间以及所述第2电极与所述第1区域之间;并且所述金属层具有与所述衬底的凸部嵌合的凹部。
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