[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201610121748.6 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN106505060A | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 渡边慎也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L23/528;H01L21/768;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能够缩短将半导体芯片彼此积层的情况下的半导体芯片间的距离的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备衬底；第1电极，设置在所述衬底的上表面侧；以及第2电极，设置在所述衬底的下表面侧，且与所述第1电极电连接。所述装置还具备第1光阻剂层，以包围所述第1电极的方式设置在所述衬底的所述上表面侧，且与所述第1电极隔开；以及第2光阻剂层，设置在所述衬底的所述下表面侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于具备：衬底；第1电极，设置在所述衬底的上表面侧；第2电极，设置在所述衬底的下表面侧，且与所述第1电极电连接；第1光阻剂层，以包围所述第1电极的方式设置在所述衬底的所述上表面侧，且与所述第1电极隔开；以及第2光阻剂层，设置在所述衬底的所述下表面侧。
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