[发明专利]一种用于相变存储器的Zr掺杂Ge2Sb2Te5薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201610119008.9 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN105742489B | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李增光;吕业刚;马亚东;沈祥;王国祥;戴世勋 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人： | 何仲 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种用于相变存储器的Zr掺杂Ge2Sb2Te5薄膜材料及其制备方法，特点是其化学结构式为Zrx(Ge2Sb2Te5)100‑x，其中0 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜材料 制备 相变存储器 掺杂 单质 磁控溅射装置 射频溅射功率 化学结构式 数据保持力 双靶共溅射 表面沉积 衬底材料 高纯氩气 工作气体 功率调整 晶态电阻 热稳定性 直流溅射 非晶态 高纯度 共溅射 石英片 硅片 靶材 | ||
【主权项】：
1.一种用于相变存储器的Zr掺杂Ge2Sb2Te5薄膜材料，其特征在于：其化学结构式为Zrx(Ge2Sb2Te5)100‑x，其中0
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