[发明专利]二次量化的混合ADC有效

专利信息
申请号: 201610116762.7 申请日: 2016-03-01
公开(公告)号: CN105811985B 公开(公告)日: 2019-06-21
发明(设计)人: 包应江 申请(专利权)人: 武汉众为信息技术有限公司
主分类号: H03M1/36 分类号: H03M1/36;H03M1/14
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 430205 湖北省武汉市东湖高新*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种二次量化的混合ADC,包括全并行Flash结构1,用于转换高位码,通过电阻形式的比较避免大电容的产生;余量放大器2,用于将高位转换后的余量按一定倍数进行放大,减小环境噪声对余量的影响,并传输给下一级;左端SAR电容阵列3,用于转换低位码中的较高位,其中包含充电速度较慢的大电容;右端SAR电容阵列4,用来转换低位码中的较低位,其中包含充电速度较快的小电容;SAR逻辑电路5,用于进行SAR逻辑比较,并控制电容阵列中基准电压的变化;控制逻辑电路6,用于控制整个电路中的信号传输及各模块工作状态。
搜索关键词: 二次 量化 混合 adc
【主权项】:
1.一种二次量化的混合ADC,包括全并行Flash结构(1),用于转换高位码,通过电阻形式的比较避免大电容的产生;余量放大器(2),用于将高位转换后的余量按一定倍数进行放大,减小环境噪声对余量的影响,并传输给下一级;左端SAR电容阵列(3),用于转换低位码中的较高位,其中包含充电速度较慢的大电容;右端SAR电容阵列(4),用来转换低位码中的较低位,其中包含充电速度较快的小电容;SAR逻辑电路(5),用于进行SAR逻辑比较,并控制电容阵列中基准电压的变化;控制逻辑电路(6),用于控制整个电路中的信号传输及各模块工作状态;所述全并行Flash结构(1)包括采样/保持电路、三位全并行ADC、三位DAC、编码电路和一个加法器,所述采样/保持电路的输出送入3位全并行ADC和加法器,所述3位全并行ADC产生的温度计码送入编码电路和3位DAC,所述3位DAC的输出送入加法器;所述余量放大器(2)的输入是加法器的输出,将所得信号放大一定比例后称为Vin,送入左端SAR电容阵列(3)和右端SAR电容阵列(4);所述左端SAR电容阵列(3)包括四个高位二进制权重电容C7、C6、C5、C4,以及校准电容Ccali和补偿电容CC,所述C7、C6、C5的充电由控制逻辑控制,所述左端SAR电容阵列(3)前端有一个开关K1,控制电容阵列对Vin的采样,所述左端SAR电容阵列(3)后端有一个开关K3,控制与右端SAR电容阵列(4)的连接;所述右端SAR电容阵列(4)包括三个低位电容C3、C2、C1,以及一个终端电容;所述C3、C2、C1转换结果由控制逻辑送入左端SAR电容阵列(3),所述右端SAR电容阵列(4)前端有一个开关K3,与左端SAR电容阵列(3)公用,控制与左端SAR电容阵列(3)的连接,所述右端SAR电容阵列(4)后端有一个开关K2,控制所述右端SAR电容阵列(4)对K2的采样;所述SAR逻辑电路(5)以比较器的输出作为输入,分析其正负来控制电容的充放电;所述控制逻辑电路(6)与需要控制的电路节点相连,实现所需的控制功能。
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