[发明专利]用于在半导体制造中控制等离子体的系统和方法有效
| 申请号： | 201610107736.8 | 申请日： | 2016-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN106169407B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 吴成宗;吕伯雄;刘定一;廖锡文;孔祥昇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种用于在半导体制造中控制等离子体的等离子体处理系统和方法。该系统包括被配置为生成等离子体的远程等离子体模块。该系统还包括被配置为接收等离子体的化合物混合室。该系统还包括被配置为接收来自化合物混合室的用于处理的等离子体的处理室。另外，该系统包括被配置为监控化合物混合室中的等离子体的检测模块。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 制造 控制 等离子体 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理系统，包括：远程等离子体模块，连接至导管的上游端部并且被配置为生成等离子体；处理室，连接至所述导管的下游端部并且被配置为接收来自所述远程等离子体模块的所述等离子体以用于等离子体工艺；化合物混合室，包括被构造作为所述导管的一部分的流动路径和主体，所述主体包括第一外部表面、第二外部表面、第一端面、和与所述第一端面相对的第二端面，其中，所述化合物混合室包括位于所述第一外部表面上且邻近所述第二端面的观察窗，所述等离子体通过位于所述第二外部表面上且邻近所述第一端面的第一进气口进入所述化合物混合室、并通过位于所述第二外部表面且邻近所述第二端面的出气口流出所述化合物混合室；以及检测模块，连接至所述流动路径并且被配置为监控所述流动路径中的所述等离子体的至少一个参数，其中，在所述等离子体与所述流动路径中的其它化合物混合之前，获取所述等离子体的至少一个参数数据；其中，所述其它化合物经由位于所述第一外部表面上且邻近所述第二端面的第二进气口进入所述流动路径中。
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