[发明专利]穿过沟槽的选择性锗P接触金属化

摘要

本申请涉及穿过沟槽的选择性锗P接触金属化，公开了用于形成相对于常规器件具有减小的寄生接触电阻的晶体管器件的技术。这些技术例如可利用标准接触叠层(诸如硅或硅锗(SiGe)源/漏区上的一系列金属)来实现。根据这样的实施例的一个示例，在源/漏和接触金属之间设置中间硼掺杂锗层以显著减小接触电阻。根据本公开，许多晶体管配置和合适的制造工艺将显而易见，包括平面和非平面的晶体管结构(例如FinFET)以及应变和非应变的沟道结构。可使用渐变缓冲来减小失配位错。这些技术尤其适用于实现p型器件，但在需要时也可用于n型器件。

主权项

1.一种半导体器件，包括：衬底；从衬底延伸的半导体鳍；栅结构，毗邻所述半导体鳍的顶部和两侧，所述栅结构包括栅电介质和栅电极，所述栅电介质在所述栅电极和所述半导体鳍的至少部分之间；源区和漏区，所述源区和所述漏区各自包括硅、锗和p型掺杂剂，所述源区和所述漏区各自具有包括第一渐变部分、第二渐变部分、以及位于所述第一和第二渐变部分之间的实质上固定部分的总厚度，其中所述第一渐变部分中的至少一个具有从基本水平浓度渐变至第一水平浓度的锗浓度，以及所述第二渐变部分中的至少一个具有从所述第一水平浓度渐变至超过50原子百分比的第二水平的锗浓度，所述第一水平高于所述基本水平，且所述第二水平高于所述第一水平；以及绝缘层，位于所述衬底上，所述绝缘层具有至少在所述源区和漏区的每一个上方形成的接触沟槽；第一和第二金属接触结构，分别位于所述源区和所述漏区之上，所述第一和第二金属接触结构至少部分地在所述接触沟槽内。