[发明专利]一种相变存储器的写入电路和写入方法有效
| 申请号： | 201610087830.1 | 申请日： | 2016-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN105702289B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 郑君华;张家璜;廖明亮;徐成宇 | 申请（专利权）人： | 江苏时代全芯存储科技有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012 | 代理人： | 金玺 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种相变存储器的写入电路及方法，电路包括：操作单元、逻辑控制单元和电压调整反馈单元；操作单元根据所接收的写入操作信号向相变存储器阵列基本单元执行相应的写入操作；电压调整反馈单元选择写入操作信号相应的阈值电压与端电压进行比较，当端电压大于阈值电压时，向逻辑控制单元输出断开开关控制信号；逻辑控制单元在接收到断开开关控制信号后，控制操作单元与相变存储器阵列基本单元断开。本发明保持了相变存储器写入数据的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 存储器 写入 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储器的写入电路，其特征在于，包括：操作单元、逻辑控制单元和电压调整反馈单元；所述操作单元，用于根据所接收的写入操作信号向包括所述相变存储器的相变存储器阵列基本单元执行相应的写入操作；所述电压调整反馈单元，用于获取所述写入操作信号和所述相变存储器的端电压，选择与所述写入操作信号相应的阈值电压与所述端电压进行比较，当所述端电压大于所述阈值电压时，向所述逻辑控制单元输出断开开关控制信号；所述逻辑控制单元，用于在接收到所述断开开关控制信号后，控制所述操作单元与所述相变存储器阵列基本单元断开。
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