[发明专利]一种相变存储器的写入电路和写入方法有效

专利信息
申请号: 201610087830.1 申请日: 2016-02-16
公开(公告)号: CN105702289B 公开(公告)日: 2019-11-05
发明(设计)人: 郑君华;张家璜;廖明亮;徐成宇 申请(专利权)人: 江苏时代全芯存储科技有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10
代理公司: 北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012 代理人: 金玺
地址: 223300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 相变 存储器 写入 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种相变存储器的写入电路,其特征在于,包括:操作单元、逻辑控制单元和电压调整反馈单元;

所述操作单元,用于根据所接收的写入操作信号向包括所述相变存储器的相变存储器阵列基本单元执行相应的写入操作;

所述电压调整反馈单元,用于获取所述写入操作信号和所述相变存储器的端电压,选择与所述写入操作信号相应的阈值电压与所述端电压进行比较,当所述端电压大于所述阈值电压时,向所述逻辑控制单元输出断开开关控制信号;

所述逻辑控制单元,用于在接收到所述断开开关控制信号后,控制所述操作单元与所述相变存储器阵列基本单元断开。

2.根据权利要求1所述的写入电路,其特征在于,所述电压调整反馈单元包括:基准电压输出电路和比较器,所述基准电压输出电路的输出端与所述比较器的第一输入端连接,所述比较器的第二输入端与所述相变存储器阵列基本单元连接,所述比较器的输出端与所述逻辑控制单元连接,所述基准电压输出电路接收所述写入操作信号,根据所述写入操作信号选择相应的阈值电压从所述基准电压输出电路的输出端输出。

3.根据权利要求2所述的写入电路,其特征在于:

所述写入操作包括置位操作和重置操作,所述阈值电压包括与置位操作相应的置位阈值电压、与重置操作相应的重置阈值电压,所述写入操作信号包括与置位操作相应的置位操作信号、与重置操作相应的重置操作信号,所述置位阈值电压低于所述重置阈值电压;

所述基准电压输出电路包括:电压调整电路、置位开关和重置开关,所述电压调整电路包括输出置位阈值电压的置位基准电压输出端和输出重置阈值电压的重置基准电压输出端,所述置位开关的一端与所述置位基准电压输出端连接,另一端作为所述基准电压输出电路的输出端与所述比较器的第一输入端连接,所述重置开关的一端与所述重置基准电压输出端连接,另一端作为所述基准电压输出电路的输出端与所述比较器的第一输入端连接;

当所述基准电压输出电路接收到所述置位操作信号时,所述置位开关闭合,所述重置开关断开;

当所述基准电压输出电路接收到所述重置操作信号时,所述置位开关断开,所述重置开关闭合。

4.根据权利要求3所述的写入电路,其特征在于,所述阈值电压还包括状态待定阈值电压,所述状态待定阈值电压大于所述置位阈值电压且小于所述重置阈值电压,所述基准电压输出电路还包括:状态待定开关,所述电压调整电路还包括输出状态待定阈值电压的状态待定基准电压输出端,所述状态待定开关的一端与所述状态待定基准电压输出端连接,另一端作为所述基准电压输出电路的输出端与所述比较器的第一输入端连接;

当所述基准电压输出电路在没有接收到所述置位操作信号且没有接收到所述重置操作信号时,所述状态待定开关闭合,所述置位开关断开,所述重置开关断开;

当所述基准电压输出电路接收到所述置位操作信号或者所述重置操作信号时,所述状态待定开关断开。

5.根据权利要求1所述的写入电路,其特征在于,所述逻辑控制单元,还用于接收控制启动信号和所述写入操作信号,当接收到所述控制启动信号,则向所述操作单元和所述电压调整反馈单元输出所述写入操作信号。

6.根据权利要求5所述的写入电路,其特征在于,所述逻辑控制单元包括:第一与非门、第二与非门、第三与非门、第一反相器、第二反相器、第三反相器和场效应管;

所述第一与非门的一个输入端与所述电压调整反馈单元连接接收所述断开开关控制信号,另一个输入端接收所述控制启动信号,所述第一与非门的输出端与所述第一反相器的输入端连接,所述第一反相器的输出端与所述场效应管的栅极连接,所述场效应管的漏极与所述操作单元连接,所述场效应管的源极与所述相变存储器阵列基本单元连接;

所述第二与非门的一个输入端接收所述写入操作信号,另一个输入端接收所述控制启动信号,所述第二与非门的输出端与所述第二反相器的输入端连接,所述第二反相器的输出端与所述操作单元连接输出所述写入操作信号;

所述第三与非门的一个输入端接收所述写入操作信号,另一个输入端接收所述控制启动信号,所述第三与非门的输出端与所述第三反相器的输入端连接,所述第三反相器的输出端与所述电压调整反馈单元连接输出所述写入操作信号。

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