[发明专利]一种氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法

摘要

一种氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法，所述氧化物半导体薄膜晶体管包括基板、栅介质层、沟道层、源电极和漏电极，其制备方法包括以下步骤：⑴基板清洗；⑵栅介质层制备；⑶沟道层的制备；⑷源电极和漏电极的制备。本发明工艺合理，简单合理，同时制备的氧化物半导体薄膜晶体管对载流子具有良好抑制能力，提高器件和电路的可靠性，并简化了阈值电压补偿电路设计的复杂性，而且，有利于在低温下形成非晶态的薄膜，有利于保证器件制备的一致性、改善通过低温工艺制造的器件的稳定性。

主权项

1.一种氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述氧化物半导体薄膜晶体管包括基板、栅介质层、沟道层、源电极和漏电极，其制备方法包括以下步骤：⑴基板清洗：将基板用18~25%的氟化氢水溶液浸泡1~2min，然后用去离子水冲洗，冲洗完后加入水、过氧化氢和氨水的混合溶液中，蒸煮10~15min，温度控制在75℃~85℃，用去离子水冲洗后加入到水、过氧化氢和盐酸的混合溶液中，蒸煮10~15min，温度控制在75℃~85℃，用去离水冲洗后再用氮气吹干；⑵栅介质层制备：将氮化炉温度上升至1300℃~1400℃，然后通氮气排杂，排杂的时间为15~20min，再通入纯氮气，然后将步骤⑴所得基板推入氮化炉中，氮化3~4h，冷却后将氮化后的所得物取出，用20~25%的氟化氢溶液清洗，再用去离子水冲洗后烘干，备用；⑶沟道层的制备：利用射频磁控溅射法在栅介质层上制备氧化锌薄膜；⑷源电极和漏电极的制备：通过真空镀膜的方法在步骤⑶制备的沟道层两侧形成源电极和漏电极，所述真空镀膜过程中真空度小于5×10‑3Pa。