[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：基板；第二导电型外延层，设于基板上；第一导电型外延层，设于第二导电型外延层上；第二导电型埋藏层，设于第二导电型外延层中；第一隔离沟槽、第二隔离沟槽及第三隔离沟槽，其中第一隔离沟槽与第二隔离沟槽之间的区域为第一隔离区，第二隔离沟槽与第三隔离沟槽之间的区域为第二隔离区；第一导电型第一重掺杂区，设于第一隔离区中的第二导电型外延层中；以及第二导电型第一重掺杂区，设于第二隔离区中的第一导电型外延层中。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一基板，该基板重掺杂有一第一导电型的离子；一第二导电型外延层，设于该基板上，其中该第二导电型外延层具有一第二导电型的离子，且该第一导电型的离子与该第二导电型的离子不同；一第一导电型外延层，设于该第二导电型外延层上，其中该第一导电型外延层具有该第一导电型的离子；一第二导电型埋藏层，设于该第二导电型外延层中，其中该第二导电型埋藏层重掺杂有该第二导电型的离子；一第一隔离沟槽、一第二隔离沟槽及一第三隔离沟槽，自该第一导电型外延层的一顶面延伸穿过该第二导电型外延层至该基板中，且该第一隔离沟槽与该第三隔离沟槽分别设于该第二隔离沟槽的相反侧，其中该第一隔离沟槽与该第二隔离沟槽之间的区域为一第一隔离区，该第二隔离沟槽与该第三隔离沟槽之间的区域为一第二隔离区；一第一导电型第一重掺杂区，设于该第一隔离区中的该第二导电型外延层中，且位于该第二导电型埋藏层之下，其中该第一导电型第一重掺杂区具有该第一导电型的离子，且位于该第一隔离区中的该第一导电型第一重掺杂区与该第二导电型埋藏层是作为一齐纳二极管；以及一第二导电型第一重掺杂区，设于该第二隔离区中的该第一导电型外延层中，该第二导电型第一重掺杂区具有该第二导电型的离子，其中位于该第二隔离区中的该第一导电型外延层与该第二导电型第一重掺杂区是作为一高侧二极管，而位于该第二隔离区中的该基板与该第二导电型外延层是作为一低侧二极管。