[发明专利]低工作电压反相器及其制作方法在审
申请号: | 201610029456.X | 申请日: | 2016-01-15 |
公开(公告)号: | CN106981486A | 公开(公告)日: | 2017-07-25 |
发明(设计)人: | 竺立强;肖惠;万昌锦;刘阳辉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | H01L27/092 | 分类号: | H01L27/092;H01L21/8238;H01L29/423;H01L21/28;H01L21/283 |
代理公司: | 上海一平知识产权代理有限公司31266 | 代理人: | 竺云,马莉华 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种低工作电压反相器及其制作方法。本发明的反相器包含形成在绝缘衬底上的第一晶体管和第二晶体管,其中,所述第一晶体管以耗尽型模式工作,所述第二晶体管以增强型模式工作,并且,所述第一晶体管和第二晶体管的栅介质层由具有离子导电特性的固态电解质构成。本发明还提供了制备本发明的低工作电压、高增益性的反相器的方法。本发明的反相器在获得低工作电压、高电压增益性的同时,还进一步降低了制造成本。 | ||
搜索关键词: | 工作 电压 反相器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种反相器,其特征在于,包含:衬底;位于所述衬底上的第一沉积结构;以及位于所述衬底上的第二沉积结构;其中,所述第一沉积结构包括:位于所述衬底上第一栅电极、位于所述第一栅电极上的第一栅介质层、位于所述第一栅介质层上的第一沟道层、位于所述第一沟道层上的第一源极和第一漏极;并且,所述第一沉积结构构成以耗尽型模式工作的第一晶体管;所述第二沉积结构包括:位于所述衬底上第二栅电极、位于所述第二栅电极上的第二栅介质层、位于所述第二栅介质层上的第二沟道层、位于所述第二沟道层上的第二源极和第二漏极;并且,所述第二沉积结构构成以增强型模式工作的第二晶体管;并且所述第一栅电极、所述第一源极和所述第二漏极通过导电层电连接;并且在所述反相器中,所述第一栅极作为输出端Vout,所述第二栅极作为输入端Vin,所述第二源极接地,所述第一漏极用于施加电源电压VDD;并且所述第一栅介质层和第二栅介质层均为离子导电型固态电解质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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