[发明专利]半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法有效
| 申请号： | 201610024141.6 | 申请日： | 2016-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN105551942B | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 王超 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 胡川 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法，其包括：采用EKC溶液对刻蚀后的半导体晶圆进行第一次清洗，其中，EKC溶液为NMP溶剂和带有碱性的胺的混合溶液；采用NMP溶剂对半导体晶圆进行第二次清洗；采用IPA溶剂对半导体晶圆进行第三次清洗；采用纯水对半导体晶圆进行第四次清洗；对半导体晶圆进行干燥。通过上述方式，本发明能够完全清洗深孔中的聚合物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 蚀刻 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法，包括：采用 EKC 溶液对刻蚀后的半导体晶圆进行第一次清洗，其中，EKC溶液为NMP 溶剂和带有碱性的胺的混合溶液；EKC溶液由于含有NMP溶剂并带有碱性，对半导体晶圆的本体有一定的蚀刻作用，通过调整胺的添加比例，在清洗聚合物时起到显著作用同时能够降低蚀刻作用；采用 NMP 溶剂对所述半导体晶圆进行第二次清洗；通过第二次清洗，将第一次清洗后残余的少量聚合物完全清洗掉；采用 IPA 溶剂对所述半导体晶圆进行第三次清洗；采用纯水对所述半导体晶圆进行第四次清洗；对所述半导体晶圆进行干燥；其特征在于：在进行NMP溶剂浸泡之前，进行EKC溶液浸泡，能够完全清洗深孔中的聚合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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