[发明专利]半导体存储器件及包括其的存储系统有效
| 申请号： | 201610012143.3 | 申请日： | 2016-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN106354671B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 郑在亭;金光铉 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件，包括：多个存储单元；外围电路，适用于控制存储单元且在第一模式和第二模式下操作，第一模式和第二模式分别与芯片选择信号的使能和禁止相对应；以及就绪‑繁忙信号发生器，适用于在芯片选择信号的使能期间根据外围电路是处于就绪状态还是繁忙状态来对就绪‑繁忙线施加偏压。在第一模式下允许半导体存储器件与外部设备之间的通信。在第二模式下不允许半导体存储器件与外部设备之间的通信。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 包括 存储系统 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：多个存储单元；外围电路，适用于控制存储单元且在第一模式和第二模式下操作，第一模式与芯片选择信号的使能相对应，第二模式与芯片选择信号的禁止相对应；以及就绪‑繁忙信号发生器，适用于在芯片选择信号的使能期间根据外围电路是处于就绪状态还是繁忙状态来对就绪‑繁忙线施加偏压，其中，在第一模式下允许半导体存储器件与外部设备之间的通信，以及其中，在第二模式下不允许半导体存储器件与外部设备之间的通信。
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