[发明专利]富铟NMOS晶体管沟道有效
| 申请号： | 201580080235.9 | 申请日： | 2015-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107667433B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | C·S·莫哈帕特拉;A·S·默西;G·A·格拉斯;T·加尼;W·拉赫马迪;J·T·卡瓦列罗斯;G·杜威;M·V·梅茨;H·W·肯内尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/12;H01L29/775;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了用于形成具有通过含铝层与子鳍状物电隔离的富铟沟道区的高移动性NMOS基于鳍状物的晶体管的技术。含铝层可以设置在包括富铟沟道区的含铟层内，或可以设置在含铟层与子鳍状物之间。含铟层的铟浓度可以从含铝阻挡层附近的贫铟浓度渐变到富铟沟道层处的富铟浓度。根据一些示例性实施例，富铟沟道层在鳍状物的顶部处或在其它情况下处于附近。渐变可以是有意的和/或由于富铟沟道层和含铝阻挡层对界面处的原子的再组织的影响。根据本公开内容将认识到很多变化和实施例。 | ||
| 搜索关键词： | nmos 晶体管 沟道 | ||
【主权项】：
一种集成电路器件，包括：衬底；以及从所述衬底延伸的多个鳍状物，每个鳍状物包括：Ⅲ‑Ⅴ材料子鳍状物、位于所述子鳍状物上方的富铟沟道层、以及位于所述Ⅲ‑Ⅴ材料子鳍状物与所述富铟沟道层之间的含铝阻挡层。
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