[发明专利]薄膜电晶体制造方法及薄膜电晶体有效
| 申请号： | 201580053009.1 | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN107112363B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 徐宗铉 | 申请（专利权）人： | 韩国航空大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;王莹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开一种薄膜电晶体制造方法，薄膜电晶体制造方法包括：在基板上形成图案化的半导体层及配线层的步骤；以及蚀刻配线层而形成沟道部的步骤；且配线层包括补偿层，构成补偿层的物质包括构成半导体层的物质成分中作为金属氧化物成分的金属。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电晶体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜电晶体制造方法，其特征在于，包括：在基板上形成图案化的半导体层及配线层的步骤；以及蚀刻所述配线层而形成沟道部的步骤；其中，所述配线层包括补偿层，构成所述补偿层的物质包括构成所述半导体层的物质成分中作为金属氧化物成分的金属。
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