[发明专利]制造结晶度改善的有机钙钛矿材料层的方法

摘要

本发明涉及一种用于制造晶体材料的层的方法，该方法包括：在基板上设置：包含第一阳离子和牺牲阴离子的第一前体化合物，第一阳离子是金属或类金属阳离子，且牺牲阴离子包含两个或更多个原子；和包含第二阴离子和第二阳离子的第二前体化合物，第二阳离子能与牺牲阴离子一起形成第一挥发性化合物。本发明还涉及能够通过本发明的方法来获得的晶体材料的层。本发明还提供了一种用于制造半导体器件的方法，包括根据本发明的用于制造晶体材料的层的方法。本发明还提供了一种组合物，该组合物包括：(a)溶剂；(b)NH₄X；(c)AX；和(d)BY₂或MY₄；其中，X、A、M和Y如本文所限定。

主权项

1.一种用于制造包含晶体材料的层的半导体器件的方法，所述方法包括在基板上设置以下化合物来制造所述晶体材料的层：包含第一阳离子和牺牲阴离子的第一前体化合物，所述第一阳离子是金属或类金属阳离子，且所述牺牲阴离子包含两个或更多个原子；和包含第二阴离子和第二阳离子的第二前体化合物，所述第二阳离子能与所述牺牲阴离子一起形成第一挥发性化合物，其中，所述牺牲阴离子是有机阴离子；并且所述第二阳离子是有机阳离子或NH₄⁺。