[发明专利]清洗化合物半导体的方法、化合物半导体的清洗用溶液在审
| 申请号： | 201580039195.3 | 申请日： | 2015-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN106537562A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 长尾兼次;中村健一;寺本章伸 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C30B29/38;H01L21/308 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 胡嵩麟,王海川 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够降低环境负荷的清洗化合物半导体的方法。本发明的清洗化合物半导体的方法具有使用包含纯水和少于65重量％的硫酸且具有pH值2以下的氢离子浓度和0.6伏特以上的氧化还原电位的溶液17，在摄氏70度以上的温度下对具有镓作为构成元素的化合物半导体实施用于清洗的处理4的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 化合物 半导体 方法 溶液 | ||
【主权项】：
一种清洗化合物半导体的方法，其具有：使用包含纯水和少于65重量％的硫酸且具有pH值2以下的氢离子浓度和0.6伏特以上的氧化还原电位的溶液，在摄氏70度以上的温度下对具有镓作为构成元素的化合物半导体实施用于清洗的处理的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
