[发明专利]III族氮化物结晶的制造方法及III族氮化物结晶制造装置有效
| 申请号： | 201580021973.6 | 申请日： | 2015-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN106460228B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 森勇介;吉村政志;今出完;伊势村雅士;冈山芳央 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人大阪大学;伊藤忠塑料株式会社;松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B19/02;C30B25/20;C30B33/00;H01L21/205;H01L21/208 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 苏萌;钟守期 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过气相生长法制造大尺寸且变形、位错、翘曲等缺陷少的高品质III族氮化物结晶。制造方法包括下述步骤：第1III族氮化物结晶制造步骤，通过液相生长法制造第1III族氮化物结晶1003；第2III族氮化物结晶制造步骤，在第1结晶1003上，通过气相生长法使III族元素金属和氧化剂和含氮气体反应而制造第2III族氮化物结晶1004，其特征在于：所述第1III族氮化物结晶制造步骤使预先准备的III族氮化物的多个晶种1003a的表面与碱金属熔液接触，在含氮气氛下，使III族元素和所述氮在所述碱金属熔液中反应，通过由多个晶种1003a生长的多个III族氮化物结晶的生长，使所述多个III族氮化物结晶结合而作为第1结晶1003。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 结晶 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.III族氮化物结晶的制造方法，其包括下述步骤：第1III族氮化物结晶制造步骤，通过液相生长法制造第1III族氮化物结晶；第2III族氮化物结晶制造步骤，在所述第1III族氮化物结晶上，通过气相生长法制造第2III族氮化物结晶；其特征在于，所述第1III族氮化物结晶制造步骤包括：晶种选择步骤，选择预先准备的III族氮化物的多个部分作为用于III族氮化物结晶的生成及生长的晶种；接触步骤，使所述晶种的表面与碱金属熔液接触；III族氮化物结晶液相生长步骤，在含氮气氛下，让III族元素与所述氮在所述碱金属熔液中反应，使III族氮化物结晶生成并生长；在所述III族氮化物结晶液相生长步骤中，通过由所述多个晶种生长的多个III族氮化物结晶的生长，使所述多个III族氮化物结晶结合而作为所述第1III族氮化物结晶，在所述第2III族氮化物结晶制造步骤中，使III族元素金属或III族元素化合物与含氮气体反应而制造所述第2III族氮化物结晶，并且所述制造方法进一步包括第1III族氮化物结晶加热步骤，所述第1III族氮化物结晶加热步骤为在所述第2III族氮化物结晶制造步骤之前，加热处理所述第1III族氮化物结晶的步骤，其中所述第1III族氮化物结晶加热步骤中的加热温度为所述第1III族氮化物结晶制造步骤中的结晶生长温度以上，且为所述第2III族氮化物结晶制造步骤中的结晶生长温度以下。
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