[发明专利]真空蒸镀用蒸发源有效
| 申请号： | 201510765031.0 | 申请日： | 2015-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN106676477B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 魏洋;魏浩明;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种真空蒸镀用蒸发源，包括蒸发材料及碳纳米管膜结构，该碳纳米管膜结构为一载体，该蒸发材料设置在该碳纳米管膜结构表面，通过该碳纳米管膜结构承载。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 蒸镀用 蒸发 | ||
【主权项】：
1.一种真空蒸镀用蒸发源，包括蒸发材料，其特征在于，进一步包括碳纳米管膜结构、支撑结构，该碳纳米管膜结构为一载体，该碳纳米管膜结构在支撑结构之间悬空设置，该蒸发材料设置在悬空的碳纳米管膜结构表面，通过该碳纳米管膜结构承载，该蒸发源的厚度小于或等于100微米，使用时该碳纳米管膜结构与待镀基底相对且等间隔设置，间距为1微米～10毫米。/n
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