[发明专利]有机发光器件有效
申请号: | 201510428568.8 | 申请日: | 2015-07-20 |
公开(公告)号: | CN105304823B | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
发明(设计)人: | 金明淑;金成昱;金在福;宋原准;任子贤;金兑炅 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;C07C211/54 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王占杰 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
一种有机发光器件包括:第一电极;第二电极;发射层,位于第一电极和第二电极之间;以及空穴传输区域,位于第一电极和发射层之间,其中,空穴传输区域包括辅助层,辅助层包括由式1表示的胺类化合物:式1 |
||
搜索关键词: | 有机 发光 器件 | ||
【主权项】:
1.一种有机发光器件,其特征在于,所述有机发光器件包括:第一电极;第二电极;发射层,位于所述第一电极和所述第二电极之间;以及空穴传输区域,位于所述第一电极和所述发射层之间,其中,所述空穴传输区域包括空穴注入层、空穴传输层和辅助层,其中,所述辅助层位于所述空穴传输层和所述发射层之间,其中,所述空穴传输层位于所述空穴注入层和所述辅助层之间,其中,所述发射层和所述辅助层彼此邻近,其中,所述空穴传输层和所述辅助层彼此邻近,其中,所述辅助层包括由式1表示的胺类化合物,所述空穴传输层由式201表示的第一空穴传输化合物组成:式1
其中,在式1中,A11选自于C3‑C10环烷、C1‑C10杂环烷、C3‑C10环烯、C1‑C10杂环烯、C6‑C60芳烃、C1‑C60杂芳烃、非芳香缩合多环烃基和非芳香缩合杂多环烃基;L11至L16均独立地选自于取代的或未取代的C3‑C10亚环烷基、取代的或未取代的C1‑C10亚杂环烷基、取代的或未取代的C3‑C10亚环烯基、取代的或未取代的C1‑C10亚杂环烯基、取代的或未取代的C6‑C60亚芳基、取代的或未取代的C1‑C60亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳香缩合多环基和取代的或未取代的二价非芳香缩合杂多环基;a11至a16均独立地选自于0、1、2和3;R11至R14均独立地选自于取代的或未取代的C6‑C60芳基、取代的或未取代的C1‑C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳香缩合多环基和取代的或未取代的单价非芳香缩合杂多环基;n11和n12均独立地选自于0、1和2,其中,n11和n12的总和选自于1、2、3和4;R15至R17均独立地选自于氢、氘、‑F、‑Cl、‑Br、‑I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸或其盐、磺酸或其盐、磷酸或其盐、取代的或未取代的C1‑C60烷基、取代的或未取代的C1‑C60烷氧基、取代的或未取代的C6‑C60芳基、取代的或未取代的C6‑C60芳氧基、取代的或未取代的C6‑C60芳硫基、取代的或未取代的C1‑C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代的或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、‑N(Q1)(Q2)和‑Si(Q3)(Q4)(Q5);b15至b17均独立地选自于1、2、3和4;取代的C3‑C10亚环烷基、取代的C1‑C10亚杂环烷基、取代的C3‑C10亚环烯基、取代的C1‑C10亚杂环烯基、取代的C6‑C60亚芳基、取代的C1‑C60亚杂芳基、取代的二价非芳香缩合多环基、取代的二价非芳香缩合杂多环基、取代的C1‑C60烷基、取代的C1‑C60烷氧基、取代的C6‑C60芳基、取代的C6‑C60芳氧基、取代的C6‑C60芳硫基、取代的C1‑C60杂芳基、取代的单价非芳香缩合多环基和取代的单价非芳香缩合杂多环基的至少一个取代基选自于:氘、‑F、‑Cl、‑Br、‑I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸或其盐、磺酸或其盐、磷酸或其盐、C1‑C60烷基、C2‑C60烯基、C2‑C60炔基和C1‑C60烷氧基;均取代有从氘、‑F、‑Cl、‑Br、‑I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸或其盐、磺酸或其盐、磷酸或其盐、C3‑C10环烷基、C1‑C10杂环烷基、C3‑C10环烯基、C1‑C10杂环烯基、C6‑C60芳基、C6‑C60芳氧基、C6‑C60芳硫基、C1‑C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、‑N(Q11)(Q12)和‑Si(Q13)(Q14)(Q15)中选择的至少一者的C1‑C60烷基、C2‑C60烯基、C2‑C60炔基和C1‑C60烷氧基;C3‑C10环烷基、C1‑C10杂环烷基、C3‑C10环烯基、C1‑C10杂环烯基、C6‑C60芳基、C6‑C60芳氧基、C6‑C60芳硫基、C1‑C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基;均取代有从氘、‑F、‑Cl、‑Br、‑I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸或其盐、磺酸或其盐、磷酸或其盐、C1‑C60烷基、C2‑C60烯基、C2‑C60炔基、C1‑C60烷氧基、C3‑C10环烷基、C1‑C10杂环烷基、C3‑C10环烯基、C1‑C10杂环烯基、C6‑C60芳基、C6‑C60芳氧基、C6‑C60芳硫基、C1‑C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、‑N(Q21)(Q22)和‑Si(Q23)(Q24)(Q25)中选择的至少一者的C3‑C10环烷基、C1‑C10杂环烷基、C3‑C10环烯基、C1‑C10杂环烯基、C6‑C60芳基、C6‑C60芳氧基、C6‑C60芳硫基、C1‑C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基;以及‑N(Q31)(Q32)和‑Si(Q33)(Q34)(Q35);其中,Q1至Q5、Q11至Q15、Q21至Q25和Q31至Q35均独立地选自于:C1‑C60烷基、C6‑C60芳基、C1‑C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基;以及均取代有C6‑C60芳基的C6‑C60芳基、C1‑C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基,式201
其中,在式201中,L201至L203均独立地选自于取代的或未取代的C3‑C10亚环烷基、取代的或未取代的C1‑C10亚杂环烷基、取代的或未取代的C3‑C10亚环烯基、取代的或未取代的C1‑C10亚杂环烯基、取代的或未取代的C6‑C60亚芳基、取代的或未取代的C1‑C60亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳香缩合多环基和取代的或未取代的二价非芳香缩合杂多环基;xa1至xa3均独立地选自于0、1、2和3;R201至R203均独立地选自于取代的或未取代的C6‑C60芳基、取代的或未取代的C1‑C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳香缩合多环基和取代的或未取代的单价非芳香缩合杂多环基;以及取代的C3‑C10亚环烷基、取代的C1‑C10亚杂环烷基、取代的C3‑C10亚环烯基、取代的C1‑C10亚杂环烯基、取代的C6‑C60亚芳基、取代的C1‑C60亚杂芳基、取代的二价非芳香缩合多环基、取代的二价非芳香缩合杂多环基、取代的C6‑C60芳基、取代的C1‑C60杂芳基、取代的单价非芳香缩合多环基和取代的单价非芳香缩合杂多环基的至少一个取代基选自于:氘、‑F、‑Cl、‑Br、‑I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、羧酸或其盐、磺酸或其盐、磷酸或其盐、C1‑C60烷基、C2‑C60烯基、C2‑C60炔基和C1‑C60烷氧基;均取代有从氘、‑F、‑Cl、‑Br、‑I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、羧酸或其盐、磺酸或其盐、磷酸或其盐、C3‑C10环烷基、C1‑C10杂环烷基、C3‑C10环烯基、C1‑C10杂环烯基、C6‑C60芳基、C6‑C60芳氧基、C6‑C60芳硫基、C1‑C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基和Si(Q13)(Q14)(Q15)中选择的至少一者的C1‑C60烷基、C2‑C60烯基、C2‑C60炔基和C1‑C60烷氧基;C3‑C10环烷基、C1‑C10杂环烷基、C3‑C10环烯基、C1‑C10杂环烯基、C6‑C60芳基、C6‑C60芳氧基、C6‑C60芳硫基、C1‑C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基;均取代有从氘、‑F、‑Cl、‑Br、‑I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、羧酸或其盐、磺酸或其盐、磷酸或其盐、C1‑C60烷基、C2‑C60烯基、C2‑C60炔基、C1‑C60烷氧基、C3‑C10环烷基、C1‑C10杂环烷基、C3‑C10环烯基、C1‑C10杂环烯基、C6‑C60芳基、C6‑C60芳氧基、C6‑C60芳硫基、C1‑C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基和‑Si(Q23)(Q24)(Q25)中选择的至少一者的C3‑C10环烷基、C1‑C10杂环烷基、C3‑C10环烯基、C1‑C10杂环烯基、C6‑C60芳基、C6‑C60芳氧基、C6‑C60芳硫基、C1‑C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基;以及‑Si(Q33)(Q34)(Q35);其中,Q13至Q15、Q23至Q25和Q33至Q35均独立地选自于C1‑C60烷基、C6‑C60芳基、C1‑C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基;以及均取代有C6‑C60芳基的C6‑C60芳基、C1‑C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510428568.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电致发光器件的制备方法
- 下一篇:钙钛矿薄膜及太阳能电池的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择