[发明专利]减薄栅极氧化层的方法及MOS器件的制作方法在审
| 申请号： | 201510367220.2 | 申请日： | 2015-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN106298504A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 赵连国;彭坤 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/32;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 赵囡囡,吴贵明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种减薄栅极氧化层的方法及MOS器件的制作方法。该方法包括：S101，在栅极氧化层和栅极结构上沉积保护层，该保护层包括栅极氧化层保护层、栅极侧壁保护层以及栅极顶部保护层；S102，采用干法刻蚀去除栅极氧化层保护层以及栅极顶部保护层；S103，以栅极侧壁保护层为掩膜，采用湿法刻蚀工艺对上述栅极氧化层进行刻蚀减薄；以及S104，去除上述栅极侧壁保护层。按照上述方法刻蚀得到的半导体器件的栅极氧化层厚度均匀，克服了现有刻蚀工艺所带来的技术弊端。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 氧化 方法 mos 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种减薄栅极氧化层的方法，其特征在于，所述方法包括：S101，在栅极氧化层(202)和栅极结构(203)上沉积保护层(204)，所述保护层(204)包括栅极氧化层保护层(2041)、栅极侧壁保护层(2042)以及栅极顶部保护层(2043)；S102，采用干法刻蚀去除所述栅极氧化层保护层(2041)以及栅极顶部保护层(2043)；S103，以所述栅极侧壁保护层(2042)为掩膜，采用湿法刻蚀工艺对所述栅极氧化层(202)进行刻蚀减薄；以及S104，去除所述栅极侧壁保护层(2042)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
