[发明专利]MEMS电容式压力传感器及其制造方法有效
申请号: | 201510362650.5 | 申请日: | 2015-06-25 |
公开(公告)号: | CN105222931B | 公开(公告)日: | 2019-02-19 |
发明(设计)人: | 王文;曾凡 | 申请(专利权)人: | 香港科技大学 |
主分类号: | G01L1/14 | 分类号: | G01L1/14 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾丽波;井杰 |
地址: | 中国香港*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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摘要: | 本发明提供了一种MEMS电容式压力传感器及其制造方法。该MEMS电容式压力传感器包括集成在具有第一导电类型的同一衬底中的感测电容器和与其对应的用于对其进行补偿的多个参考电容器,其中,感测电容器包括衬底内的感测掩埋腔和感测掩埋腔上方的悬浮的可变形的感测隔膜;每个参考电容器包括衬底内的参考掩埋腔和参考掩埋腔上方的悬浮的参考隔膜;以及多个参考隔膜的总面积与感测隔膜的面积相同。在该MEMS电容式压力传感器中,一个感测电容器的感测隔膜的面积等于多个参考电容器的参考隔膜的面积的总和,因此在真空条件下,多个参考电容器具有与感测电容器的电容相同的总电容,因此可以消除感测电容器的静态电容,使得测量结果更加准确。 | ||
搜索关键词: | mems 电容 压力传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种MEMS电容式压力传感器,包括集成在具有第一导电类型的同一衬底中的感测电容器和与其对应的用于对其进行补偿的多个参考电容器,其中,所述感测电容器包括衬底内的感测掩埋腔和感测掩埋腔上方的悬浮的可变形的感测隔膜;所述每个参考电容器包括衬底内的参考掩埋腔和参考掩埋腔上方的悬浮的参考隔膜;所述多个参考隔膜的总面积与感测隔膜的面积相同;以及所述每个参考隔膜与所述感测隔膜具有相同的厚度,以及所述每个参考掩埋腔与所述感测掩埋腔具有相同的厚度。
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