[发明专利]MEMS电容式压力传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种MEMS电容式压力传感器，包括集成在具有第一导电类型的同一衬底中的感测电容器和与其对应的用于对其进行补偿的多个参考电容器，其中，

所述感测电容器包括衬底内的感测掩埋腔和感测掩埋腔上方的悬浮的可变形的感测隔膜；

所述每个参考电容器包括衬底内的参考掩埋腔和参考掩埋腔上方的悬浮的参考隔膜；

所述多个参考隔膜的总面积与感测隔膜的面积相同；以及

所述每个参考隔膜与所述感测隔膜具有相同的厚度，以及所述每个参考掩埋腔与所述感测掩埋腔具有相同的厚度。

2.根据权利要求1所述的MEMS电容式压力传感器，其中，

所述感测电容器还包括位于感测掩埋腔下方的第一导电类型感测区域、位于感测掩埋腔上方的第二导电类型感测区域和形成在感测隔膜的底表面的下方和感测掩埋腔的底表面的上方之间的pn结，其中所述感测隔膜位于所述第二导电类型感测区域中；

所述每个参考电容器还包括位于参考掩埋腔下方的第一导电类型参考区域、位于参考掩埋腔上方的第二导电类型参考区域和形成在参考隔膜的底表面的下方和参考掩埋腔的底表面的上方之间的pn结，其中所述参考隔膜位于所述第二导电类型参考区域中；以及

第一导电类型感测区域和第一导电类型参考区域的掺杂浓度相同，并且大于衬底的掺杂浓度。

3.根据权利要求2所述的MEMS电容式压力传感器，其中，

所述感测隔膜和所述每个参考隔膜为长方形形状。

4.根据权利要求3所述的MEMS电容式压力传感器，其中，

所述长方形的长度远远大于其宽度。

5.根据权利要求4所述的MEMS电容式压力传感器，其中，

所述多个参考隔膜的宽度之和等于所述感测隔膜的宽度。

6.根据权利要求5所述的MEMS电容式压力传感器，其中，所述多个参考隔膜的宽度相同。

7.根据权利要求6所述的MEMS电容式压力传感器，其中，所述每个参考隔膜的宽度为所述感测隔膜的宽度的1/3或1/6。

8.根据权利要求2至7中任意一项所述的MEMS电容式压力传感器，其中，

所述感测电容器和所述多个参考电容器具有相同的金属化接触布局。

9.根据权利要求2至7中任意一项所述的MEMS电容式压力传感器，其中，

所述感测电容器的第二导电类型感测区域的面积和所述多个参考电容器的第二导电类型参考区域的总面积相同。

10.根据权利要求9所述的MEMS电容式压力传感器，其中，

所述感测电容器的第二导电类型感测区域的周长和所述多个参考电容器的第二导电类型参考区域的总周长相同。

11.根据权利要求2至7中的任意一项所述的MEMS电容式压力传感器，其中，

所述每个参考电容器还包括与其参考掩埋腔连通的参考通风孔，以及所述感测电容器还包括与其感测掩埋腔连通的感测通风孔。

12.根据权利要求2至7中的任意一项所述的MEMS电容式压力传感器，其中，

所述每个参考掩埋腔和所述感测掩埋腔内的压力均为1个大气压以下。

13.根据权利要求2至7中的任意一项所述的MEMS电容式压力传感器，还包括单片集成的信号处理电路。