[发明专利]电镀方法以及晶圆凸块的制备方法在审
| 申请号： | 201510349810.2 | 申请日： | 2015-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN106257635A | 公开（公告）日： | 2016-12-28 |
| 发明（设计）人： | 薛兴涛;孟津;何智清 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;C25D5/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电镀方法以及晶圆凸块的制备方法，所述电镀方法用于在底层金属层上形成一中间金属层，电镀方法包括N次电镀工艺以形成N层子金属层，所述N层子金属层共同构成所述中间金属层，其中，N为大于等于2的正整数，并且第一次电镀工艺的沉积速率小于其余电镀工艺的沉积速率，所述第一次电镀工艺形成的第一子金属层至少部分覆盖所述底层金属层。本发明中，第一次电镀工艺的第一沉积速率小于其余电镀工艺的沉积速率，第一沉积速率较小，沉积的过程中第一子金属层与底层金属层之间的接触良好，改善器件性能，并且，增加沉积速率使得电镀成膜进程加快，从而节省电镀工艺所需的时间，提高晶圆凸块制作工艺的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 电镀 方法 以及 晶圆凸块 制备 | ||
【主权项】：
一种电镀方法，用于在底层金属层上形成一中间金属层，其特征在于，所述电镀方法包括N次电镀工艺以形成N层子金属层，所述N层子金属层共同构成所述中间金属层，其中，N为大于等于2的正整数，并且第一次电镀工艺的沉积速率小于其余电镀工艺的沉积速率，所述第一次电镀工艺形成的第一子金属层至少部分覆盖所述底层金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
