[发明专利]晶片的加工方法有效
申请号: | 201510292830.0 | 申请日: | 2015-06-01 |
公开(公告)号: | CN105206571B | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 中村胜 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/683 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供晶片的加工方法,使安装在已通过所谓的预先划片法分割为一个个半导体器件的半导体晶片的背面的用于芯片结合的粘合膜沿一个个分割的半导体器件断裂,并能够防止断裂时细微破碎的粘合膜直接附着于半导体器件的表面。该方法对在晶片的表面格子状地形成有多条分割预定线并在通过多条分割预定线而划分的各区域中形成有器件的晶片进行加工,包含:分割槽形成工序,从晶片的表面侧沿分割预定线形成深度相当于器件芯片的最终厚度的分割槽;背面磨削工序,对晶片的背面进行磨削使分割槽显出于背面,将晶片分割为一个个器件芯片;在晶片的背面安装粘合膜并对粘合膜粘贴划片带的工序;粘合膜断裂工序,扩展划片带使粘合膜沿一个个器件芯片断裂。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶片的加工方法,在该晶片的表面格子状地形成有多条分割预定线并且在通过该多条分割预定线而划分的各区域中形成有器件,该晶片的加工方法将所述晶片沿分割预定线分割为一个个器件芯片,并且将用于芯片结合的粘合膜安装于各器件芯片的背面,该晶片的加工方法的特征在于,该晶片的加工方法包含:分割槽形成工序,从晶片的表面侧沿分割预定线形成深度相当于器件芯片的最终厚度的分割槽;保护膜形成工序,在实施了该分割槽形成工序的晶片的表面覆盖水溶性树脂而形成保护膜,其中,所述水溶性树脂埋设于分割槽中;保护部件粘贴工序,将保护部件粘贴到在该保护膜形成工序中覆盖于晶片的表面的保护膜的表面上;背面磨削工序,对实施了该保护部件粘贴工序的晶片的背面进行磨削而使该分割槽显出于背面,将晶片分割为一个个器件芯片;晶片支承工序,将粘合膜安装于实施了该背面磨削工序的晶片的背面并且在粘合膜侧粘贴划片带,通过环状的框架支承划片带的外周部,并将粘贴于晶片的表面的保护部件剥离;粘合膜断裂工序,扩展划片带而使粘合膜沿一个个器件芯片断裂;以及保护膜清洗工序,对覆盖于晶片的表面的保护膜供给清洗水来冲洗保护膜,在所述粘合膜断裂工序中,在所述粘合膜断裂时破碎的粘合膜的一部分附着到覆盖于所述器件的表面的所述保护膜的表面,通过在所述保护膜清洗工序中对覆盖于所述器件的表面的所述保护膜供给清洗水而进行冲洗,所附着的所述粘合膜的一部分被去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造