[发明专利]用于结构化由两个半导体层组成的层结构的方法及微机械部件

摘要

本发明涉及一种用于通过以下方式结构化由两个半导体层与位于两个半导体层之间的绝缘层和/或蚀刻停止层组成的层结构的方法：在两个半导体层中的第一半导体层的第一侧上构造第一蚀刻掩膜；实施从第一外侧出发的用于结构化第一半导体层的第一蚀刻步骤，在两个半导体层中的第二半导体层的第二侧上构造第二蚀刻掩膜；实施从第二外侧出发的用于结构化第二半导体层的第二蚀刻步骤，其中，在实施第一蚀刻步骤之后并且在实施第二蚀刻步骤之前，在至少一个在第一蚀刻步骤中蚀刻的第一沟槽的至少一个沟槽壁上沉积至少一种蚀刻保护材料。本发明同样涉及一种用于微机械部件的制造方法。此外，本发明涉及一种微机械部件。

主权项

1.一种用于结构化由两个半导体层(12，14)与位于所述两个半导体层之间的绝缘层和/或蚀刻停止层(16)组成的层结构(10)的方法，所述方法具有以下步骤：在所述两个半导体层(12，14)中的第一半导体层(12)的位于所述层结构(10)的第一外侧(22a)处的并且远离所述绝缘层和/或蚀刻停止层(16)定向的第一侧(20)上构造第一蚀刻掩膜(18)；实施从所述第一外侧(22a)出发的用于结构化所述第一半导体层(12)的第一蚀刻步骤，其中，在所述第一半导体层(12)的第一侧(20)的从所述第一蚀刻掩膜(18)暴露的至少一个部分面处蚀刻穿透所述第一半导体层(12)的至少一个第一沟槽(26)，使得所述至少一个第一沟槽(26)在第一蚀刻步骤之后具有至少一个沟槽底(26b)，所述沟槽底(26b)使所述绝缘层和/或蚀刻停止层(16)的至少一个部分面暴露；在所述两个半导体层(12，14)中的第二半导体层(14)的位于所述层结构(10)的第二外侧(22b)处的并且远离所述绝缘层和/或蚀刻停止层(16)定向的第二侧(40)上构造第二蚀刻掩膜(38)；实施从所述第二外侧(22b)出发的用于结构化所述第二半导体层(14)的第二蚀刻步骤，其中，在所述第二半导体层(14)的第二侧(40)的从所述第二蚀刻掩膜(38)暴露的至少一个部分面处蚀刻穿透所述第二半导体层(14)的至少一个第二沟槽(44)，在实施所述第一蚀刻步骤之后并且在实施所述第二蚀刻步骤之前，在所述至少一个第一沟槽(26)的至少一个沟槽壁(26a)上沉积至少一种蚀刻保护材料(32)，其中，由于所述至少一种蚀刻保护材料(32)的耐蚀刻性，在所述第二蚀刻步骤期间所述至少一个第一沟槽(26)的至少一个沟槽壁(26a)保持被覆盖，其特征在于，在实施所述第一蚀刻步骤之后并且在实施所述第二蚀刻步骤之前，在所述至少一个第一沟槽(26)的所述至少一个沟槽底(26b)上、在所述第一蚀刻掩膜(18)上和/或在所述第一半导体层(12)的第一侧(20)上沉积所述至少一种蚀刻保护材料(32)，其中，在所述第二蚀刻步骤之前借助从所述第一外侧(22a)实施的各向异性蚀刻步骤使所述至少一个第一沟槽(26)的至少一个沟槽底(26b)、所述第一蚀刻掩膜(18)和/或所述第一半导体层(12)的第一侧(20)从所述至少一种蚀刻保护材料(32)暴露，并且，附加地去除所述绝缘层和/或蚀刻停止层(16)的在所述至少一个第一沟槽(26)的至少一个沟槽底(26b)处暴露的部分区域。