[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201510049688.7 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN105990310B | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 韩晓飞;钱钧;张聚宝 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括基板、直通硅穿孔孔洞、层间介电质、衬层及导体。直通硅穿孔孔洞形成于基板中。层间介电质形成于基板上。层间介电质定义出对应直通硅穿孔孔洞的开口。层间介电质包括接近直通硅穿孔孔洞的鸟嘴部分。衬层形成于直通硅穿孔孔洞的底部及侧壁上。导体填充于直通硅穿孔孔洞及开口中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：基板；直通硅穿孔孔洞，形成于所述基板中；层间介电质，形成于所述基板上，所述层间介电质定义出对应所述直通硅穿孔孔洞的开口，所述层间介电质包括接近所述直通硅穿孔孔洞的鸟嘴部分，其中，该鸟嘴部分的尖端与该基板的上表面齐平；衬层，形成于所述直通硅穿孔孔洞的底部及侧壁上；以及导体，填充于所述直通硅穿孔孔洞及所述开口中。
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