[发明专利]具有铁电氧化铪的半导体装置及形成该半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201510040666.4 | 申请日： | 2015-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN104810269B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | J·穆勒;D·H·瑞尤赛;R·宾德尔;J·梅茨格;P·波兰斯基 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/02;H01L21/316;H01L29/78;H01L29/423;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有铁电氧化铪的半导体装置及形成该半导体装置的方法，提供一种半导体装置，包括基板、形成在该基板之上的未掺杂的二氧化铪层、以及形成在该二氧化铪层上的氮化钛层。在本文中，该未掺杂的二氧化铪层至少是部分铁电性的。在用于形成半导体装置的例示性方法中，在半导体基板之上形成未掺杂的非晶二氧化铪层且在该未掺杂的非晶二氧化铪层上形成氮化钛层。实行热退火制程用以在该未掺杂的非晶二氧化铪层中至少部分造成铁电相。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 氧化 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：基板；未掺杂的二氧化铪层，形成在该基板之上，其中，该未掺杂的二氧化铪层至少是部分铁电性的；以及氮化钛层，形成在该未掺杂的二氧化铪层上，其中该氮化钛层具有含氧量分布在其中，该氧含量分布显示在该氮化钛层的上表面的从2‑30％的范围的含氧量、以及在该氮化钛层与该未掺杂的二氧化铪层的界面的从0‑7％的范围的含氧量。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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