[发明专利]一种降低氮化镓基电子器件外延应力的离子注入改善型衬底在审
| 申请号： | 201510038542.2 | 申请日： | 2015-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN105895672A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 罗睿宏;梁智文;张国义 | 申请（专利权）人： | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L33/32;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 523518 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种降低氮化镓基电子器件外延应力的离子注入改善型衬底。所述离子注入改善型衬底，利用离子注入技术对常规的氮化镓异质外延衬底进行选择性地注入离子，致使注入离子后的衬底材料在热膨胀系数、杨氏模量、晶格常数、晶体结构等方面发生一定的变化，使得异质衬底材料的物理性能参数与氮化镓材料的性能参数相匹配，以适应氮化镓电子器件在异质衬底上外延生长，降低异质衬底上氮化镓基电子器件的外延生长应力，从而改善并提高氮化镓材料的生长质量及器件的整体性能。离子注入改善型衬底，对降低氮化镓基电子器件外延应力有明显的改善作用，对提升电子器件整体性能有重要作用，所以在电子器件应用方面具有潜在的实用化和商业化的价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 氮化 电子器件 外延 应力 离子 注入 改善 衬底 | ||
【主权项】：
一种降低氮化镓基电子器件外延应力的离子注入改善型衬底，其特征在于，利用离子注入技术把致衬底材料改性的离子注入到异质衬底材料，改变该异质衬底材料的原有的物理性能参数，使其与氮化镓及其掺杂系列材料的物理性能参数相匹配，降低由于异质衬底材料的物理性能参数与氮化镓材料的物理性能参数不匹配引起的氮化镓基电子器件的异质衬底外延生长应力，从而改善和提高氮化镓基电子器件外延生长质量和器件性能。
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