[发明专利]沉积层的方法、制造晶体管的方法、用于电子器件的层堆叠以及电子器件有效
| 申请号： | 201480079468.2 | 申请日： | 2014-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN106415790B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 达拉姆·戈塞恩 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/28;C23C14/22 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述一种在基板上方沉积材料的层的方法。所述方法包括以下步骤：以造成第一柱状生长方向的第一沉积方向沉积层的第一部分；以及以造成第二柱状生长方向的第二沉积方向沉积层的第二部分，其中所述第二柱状生长方向不同于所述第一柱状生长方向。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 方法 制造 晶体管 用于 电子器件 堆叠 以及 | ||
【主权项】：
一种在基板上方沉积材料的层的方法，所述方法包括：以造成第一柱状生长方向的第一沉积方向沉积所述层的第一部分；以及以造成第二柱状生长方向的第二沉积方向沉积所述层的第二部分，其中所述第二柱状生长方向不同于所述第一柱状生长方向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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