[发明专利]氧化物半导体薄膜的评价装置

摘要

提供一种以非接触型、正确且使用同一装置简便地测定氧化物半导体薄膜的迁移率和应力耐性来能够进行预测·估计的评价装置。本发明的评价装置具备：对样品的测定部位照射第一激发光而生成电子‑空穴对的第一激发光照射单元；对电磁波进行照射的电磁波照射单元；对反射电磁波强度进行检测的反射电磁波强度检测单元；对所述样品照射第二激发光而生成光致发光光的第二激发光照射单元；对所述光致发光光的发光强度进行测定的发光强度测定单元；以及评价迁移率和应力耐性的评价单元，并且，所述第一激发光照射单元和所述第二激发光照射单元为同一或不同的激发光照射单元。

主权项

1.一种氧化物半导体薄膜的评价装置，其特征在于，具备：第一激发光照射单元，对形成有氧化物半导体薄膜的样品的测定部位照射第一激发光而在所述氧化物半导体薄膜中生成电子‑空穴对；电磁波照射单元，对所述样品的测定部位照射电磁波；反射电磁波强度检测单元，对由于所述第一激发光的照射而发生变化的所述电磁波的来自所述样品的反射电磁波强度进行检测；第二激发光照射单元，对所述样品照射第二激发光而从所述氧化物半导体薄膜生成光致发光光；发光强度测定单元，对所述光致发光光的发光强度进行测定；以及评价单元，基于所述反射电磁波强度检测单元的检测数据和所述发光强度测定单元的测定数据来评价所述样品的迁移率和应力耐性，并且，所述第一激发光照射单元和所述第二激发光照射单元为同一或不同的激发光照射单元，从所述第一激发光照射单元照射的第一激发光的光路与从所述第二激发光照射单元照射的第二激发光的光路的至少一部分相同。