[发明专利]III族氮化物基板的处理方法及外延基板的制造方法有效
| 申请号： | 201480000946.6 | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN104246987B | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 仓冈义孝;杉山智彦;前原宗太 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C30B25/20;C30B29/38;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙)11432 | 代理人： | 王轶,李伟 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种III族氮化物基板的处理方法，根据该处理方法能够得到可形成在层叠III族氮化物层的情况下具有优异特性的电子设备的III族氮化物基板。III族氮化物基板的处理方法包括对基板表面进行CMP处理的工艺；将CMP处理后的III族氮化物基板在氮气气氛下升温至规定退火温度的工艺；以及将升温至退火温度的III族氮化物基板，在氢气和氮气的第一混合气氛或氢气和氨气的第二混合气氛中保持4分钟以上且8分钟以下的工艺。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 处理 方法 外延 制造 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物基板的处理方法，其特征在于，所述III族氮化物基板的处理方法包括：CMP工艺，对III族氮化物基板的表面进行化学机械研磨处理；升温工艺，将经过所述CMP工艺的所述III族氮化物基板在氮气气氛下升温至950℃以上且1150℃以下的退火温度；及退火工艺，将通过所述升温工艺升温至所述退火温度的所述III族氮化物基板，在氢气和氮气的混合气氛中保持4分钟以上且8分钟以下。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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