[实用新型]晶圆级封装结构有效
| 申请号： | 201420860907.0 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN204391100U | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 丁万春 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮;郭栋梁 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种晶圆级封装结构，包括第一芯片；所述第一芯片上设有多个凸点下金属层；所述第一芯片上的一部分所述凸点下金属层连接第二芯片；所述第一芯片上的另一部分所述凸点下金属层上植焊球；所述焊球的顶部高于所述第二芯片的顶部；所述第一芯片和所述第二芯片之间设有填充层。相比于现有技术，本实用新型的有益效果至少包括：在第一芯片上形成凸点下金属层，一部分凸点下金属层上植焊球，再将第一芯片和第二芯片面对面设置，由此组成的芯片结构在后续倒装工艺中，利用了第一芯片上的焊球与第二芯片形成的高度差，就可以将芯片结构倒装，而不破坏芯片结构，即倒装时不会损坏第二芯片，降低了加工过程中的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种晶圆级封装结构，其特征在于，包括第一芯片；所述第一芯片上设有多个凸点下金属层；所述第一芯片上的一部分所述凸点下金属层连接第二芯片；所述第一芯片上的另一部分所述凸点下金属层上植焊球；所述焊球的顶部高于所述第二芯片的顶部；所述第一芯片和所述第二芯片之间设有填充层。
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