[实用新型]半导体结构

摘要

本实用新型揭示了一种半导体结构，包括：金属结构，位于第i层所述金属互连层中，第i层所述金属互连层包括第i层结构区以及第i层空白区；可靠性分析测试结构，包括若干交错排列的第一条形结构以及第二条形结构，所述第一条形结构连接一第一垫片，所述第二条形结构连接一第二垫片，所述可靠性分析测试结构位于第i+1层所述金属互连层中，所述可靠性分析测试结构至少覆盖部分所述第i层结构区和部分所述第i层空白区。本实用新型提供的半导体结构可以准确、方便地检测到金属桥是否存在，提高分析的可靠性。

主权项

一种半导体结构，所述半导体结构包括n层层叠的金属互连层，其特征在于，所述半导体结构包括： 金属结构，位于第i层所述金属互连层中，第i层所述金属互连层包括至少一包含所述金属结构的第i层结构区以及至少一不包含所述金属结构的第i层空白区； 可靠性分析测试结构，包括若干交错排列的第一条形结构以及第二条形结构，所述第一条形结构连接一第一垫片，所述第二条形结构连接一第二垫片，所述可靠性分析测试结构位于第i+1层所述金属互连层中，所述可靠性分析测试结构至少覆盖部分所述第i层结构区和部分所述第i层空白区，部分所述第一条形结构和部分所述第二条形结构位于至少部分所述第i层结构区上，另一部分所述第一条形结构和另一部分所述第二条形结构位于至少部分所述第i层空白区上； 其中，n≥2，1≤i＜n。