[发明专利]薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201410843119.5 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104576754B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 石龙强;曾志远;李文辉;苏智昱;吕晓文 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及所述薄膜晶体管的制备方法。所述薄膜晶体管包括：基板；依次层叠设置在所述基板的表面上的第一半导体层、蚀刻阻挡层及第二半导体层，所述蚀刻阻挡层上设有第一贯孔和第二贯孔；源极和漏极，所述源极和所述漏极间隔设置在所述第二半导体层上且分别对应所述第二半导体层的两端设置，所述源极和所述漏极分别通过所述第一贯孔和所述第二贯孔与所述第一半导体层相连；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层层叠设置在所述源极和所述漏极上；及栅极，所述栅极层叠设置在所述栅极绝缘层上。本发明薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法制备出的薄膜晶体管具有较大的开态电流及较快的开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 半导体层 贯孔 漏极 源极 制备 栅极绝缘层 蚀刻阻挡层 层叠设置 基板 间隔设置 开态电流 两端设置 依次层叠 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：基板，所述基板包括第一表面；依次层叠设置在所述基板的所述第一表面上的缓冲层、第一半导体层、蚀刻阻挡层及第二半导体层，所述缓冲层用于缓冲在制备所述薄膜晶体管的过程中所述基板受到的应力，所述蚀刻阻挡层上设有第一贯孔和第二贯孔，所述蚀刻阻挡层覆盖所述第一表面未被所述第一半导体层覆盖的部分；源极和漏极，所述源极和所述漏极间隔设置在所述第二半导体层上且分别对应所述第二半导体层的两端设置，所述源极和所述漏极分别通过所述第一贯孔和所述第二贯孔与所述第一半导体层相连；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层层叠设置在所述源极和所述漏极上；及栅极，所述栅极层叠设置在所述栅极绝缘层上，所述薄膜晶体管还包括第一导电部和第二导电部，所述第一导电部用于连接所述源极与所述第一半导体层以及连接所述源极与所述第二半导体层，所述第二导电部用于连接所述漏极与所述第一半导体层以及连接所述漏极与所述第二半导体层，所述源极部分接触所述第二半导体层，所述第一导电部包括第一凸出部及第一覆盖部，所述第一凸出部的一端与所述第一覆盖部相连，所述第一凸出部收容于所述第一贯孔内，以使所述第一凸出部的另一端与所述第一半导体层相连，所述第一覆盖部设置于所述蚀刻阻挡层上，覆盖所述第一贯孔，且所述第一覆盖部与所述源极相连，所述第二导电部包括第二凸出部及第二覆盖部，所述第二凸出部的一端与所述第二覆盖部的一端相连，所述第二凸出部收容于所述第二贯孔内以使所述第二凸出部的另一端与所述第一半导体层相连，所述第二覆盖部设置于所述蚀刻阻挡层上，覆盖所述第二贯孔，且所述第二覆盖部与所述漏极相连。
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