[发明专利]一种碳化硅晶片外延前预清洗方法在审
| 申请号： | 201410814598.8 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN104505338A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 钮应喜;杨霏;温家良;陈新 | 申请（专利权）人： | 国家电网公司;国网智能电网研究院;国网上海市电力公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100031*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅晶片清洗技术领域，特别是一种碳化硅晶片外延前预清洗方法。本发明提供的碳化硅外延预清洗包括：将选择的碳化硅衬底浸入到的H2SO4和H2O2配成的溶液中煮沸后用去离子水冲洗；再次将衬底浸入到的NaOH和Na2O2熔融混合溶液中煮沸，去离子水冲洗后烘干，备用。基于本发明提供的碳化硅衬底经过外延后基面位错密度降低到100/cm2以下，并且方法简单，工艺重复性好，适合工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶片 外延 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅晶片外延前的预清洗方法，所述方法包括：将碳化硅衬底于H2SO4和H2O2混合溶液中煮沸后用去离子水冲洗后，再于NaOH和Na2O2的熔融溶液中煮沸，去离子水冲洗后烘干，备用；所述H2SO4和H2O2混合溶液中H2SO4和H2O2的体积比为1‑3:1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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