[发明专利]存储器器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410746475.5 | 申请日： | 2014-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN104700882B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 朴相奂;朴淳五;金相溶;李俊明 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了存储器器件及其制造方法。磁存储器器件可以包括基板和在基板上的磁隧道结存储器元件。磁隧道结存储器元件可以包括参考磁层、隧道阻挡层和自由磁层。参考磁层可以包括第一被钉扎层、交换耦合层和第二被钉扎层。交换耦合层可以在第一被钉扎层和第二被钉扎层之间，第二被钉扎层可以包括铁磁层和非磁性层。第二被钉扎层可以在第一被钉扎层和隧道阻挡层之间，隧道阻挡层可以在参考磁层和自由磁层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储器器件，包括：基板；以及在所述基板上的磁隧道结存储器元件，其中所述磁隧道结存储器元件包括：参考磁层，包括第一被钉扎层、交换耦合层和第二被钉扎层，其中所述交换耦合层在所述第一被钉扎层和第二被钉扎层之间，其中所述第二被钉扎层包括顺序地堆叠在所述交换耦合层上的第一铁磁层、第一非磁性层、第二铁磁层和第三铁磁层，隧道阻挡层，其中所述第二被钉扎层在所述第一被钉扎层和所述隧道阻挡层之间，和自由磁层，其中所述隧道阻挡层在所述参考磁层和所述自由磁层之间，其中所述交换耦合层和所述第一铁磁层具有第一晶体结构，其中所述第一非磁性层和所述第二铁磁层具有第二晶体结构，其中所述第一晶体结构和第二晶体结构是不同的。
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