[发明专利]一种在衬底晶圆上制作沟槽结构的方法有效
| 申请号： | 201410648259.7 | 申请日： | 2014-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN104377280B | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 邬志芸 | 申请（专利权）人： | 邬志芸 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京高航知识产权代理有限公司11530 | 代理人： | 赵永强 |
| 地址： | 336000 江西省宜春市上高*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在衬底晶圆上制作沟槽结构的方法，包括使用激光切割机在衬底晶圆上开凿沟槽结构；使用砂轮切割机对沟槽结构进行表面修饰处理，清理沟槽结构表面的附着物；清洗衬底晶圆。本方法既保留了激光切割的快速、高效、精确和低成本等优点，同时又克服了激光切割的界面副产物附着、光学传输特性较差等缺点。本方法有机地结合了激光切割和砂轮切割的优点，同时克服了各自的缺点，实现了优势互补。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 晶圆上 制作 沟槽 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种在衬底晶圆上制作沟槽结构的方法，其特征在于，包括：1)使用激光切割机在衬底晶圆上开凿沟槽结构，沟槽的横截面为等边三角形，沟槽的底宽为200μm，沟槽之间的间距为80μm，沟槽角度为60°，或沟槽的横截面为等腰梯形，沟槽梯形的上底宽为200μm，下底宽为100μm，沟槽之间的间距为80μm，梯形上底角度为60°，下底角度为120°，所述衬底晶圆为未加工的衬底晶圆，或仅衬底一侧经过外延加工的晶圆，或仅衬底一侧经过外延和芯片加工的晶圆，所述衬底晶圆通过抽真空的方式吸附在激光切割机或砂轮切割机的载台上；并且，激光切割机和砂轮切割机都具有精确控制沟槽轮廓三维尺寸的加工能力，它们的加工误差均不超过15μm；2)使用砂轮切割机对沟槽结构进行表面修饰处理，清理沟槽结构表面的附着物，所述清理沟槽结构表面的附着物采用的方法为高速气体喷吹或使用液体清洗；3)清洗衬底晶圆。
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